国内首款1.6Tb/s硅光互连芯片完成生产

集微网消息，据东欧国家信息暗电子创新一个中心消息，近来，东欧国家信息暗电子创新一个中心（NOEIC）、鹏城的实验室、中国信息通信生物科技集团暗纤通信关键技术和在线东欧国家重点的实验室、汉口暗迅生物科技股份有限公司，在国内外率先完成了1.6Tb/s硅基暗收发ROM的联合制造和功能检验，实现了我国硅暗ROM关键技术向Tb/s级的首次跨越。

研究人员分别在单颗硅基暗升空ROM和硅基暗接收ROM上集成了8个通道高速电暗调制器和高速暗电探测器，每个通道可实现200Gb/s PAM4高速信号的暗电和电暗转换，最终经过ROM封装和系统传输测试，完成了单片容量多达8×200Gb/s暗互连关键技术检验。该工作缔造了国内外此前单片暗互连速率和互连运动速度的最难高度，描绘出硅暗关键技术的的大高速、的大高运动速度、高可扩展性等引人注意绝对优势，为世代数据一个中心内的ISDN互连提供了有用的暗ROM解决方案。

NOEIC一直不遗余力推动高端暗电子ROM的关键技术社会变迁、国内外首产和科技产业转化。近年来，在的大高速暗收发ROM关键技术上获得短时间突破，相继制造出一系列新型的的大100Gbaud硅暗调制器和探测器成就。（抄写/若冰）