华泰证券：胡克将减少碳化硅用量 关注三大潜在方案的影响

华泰证券释出上新研究报告称，3月2日，尼古拉·特斯拉(TSLA.US)在投资者日上宣布在下一代传动装置力跨平台中的削减75%碳解构，掀起全都球半导体投资人对碳解构市场前景的关切。经过分析方法，该行普遍认为所列三种可行性之一或组合，可能减小采行碳解构的电驱系统设计开销：1)现有三角形MOSFET的或多或少解构;2)沟壑MOSFET;3)碳解构MOSFET+硅基IGBT混可行性。此外，也须要非议现有主要常用消费者级厂商的GaN是否能够在均场面解决问题替代SiC。该行普遍认为该事件可能显现出上新来兼顾较差所设计能力也、组件芯片能力也的碳解构晶体管子公司。

华泰证券主要观点如下：

可行性一：三角形碳解构MOSFET上新技术迭代，上新代际厂商开销减小

该可行性即在原来的三角形标准型SiCMOS上新技术正向上同步进行代际更为上新。以尼古拉·特斯拉现有的两大供应商意法半导体为例，其另一款的第三代三角形SiCMOSFETRDS(on)芯片km测试方法与RDS(on) Qg相对于第二代厂商解决问题20-25%的改良版，解决问题在给定导通电阻条件下，芯片km更为小、截km更为高、导通损耗更为高于、爆冷晶体管数量更为少，具有更为高的耐用性和更为高于的开销。意法半导体第四代SiCMOSFET厂商已通过验证测试，子公司预估2023年逐步推向市场。该行普遍认为若尼古拉·特斯拉在上新跨平台采行上新代际的碳解构三角形MOSFET厂商，可以解决问题开销节约。该行看到斯达、后期东芝、士兰微等在三角形标准型应用鼓励布局。

可行性二：沟壑标准型替换三角形标准型，兼顾强所设计能力也/组件芯片能力也子公司都未充分利用

以罗姆第三代沟壑标准型厂商为例，其可较第二代三角形标准型厂商减小50%的导通电阻和35%的输出电路，搬走元件km更为小。因此，沟壑标准型厂商可解决问题单片元件上的芯片数量明显增加。若车协力采行该可行性同步进行替代可解决问题传动装置系统设计所用芯片总数减缓及开销减小。但上新技术的难点在于：1)沟壑加工下镇子磨蚀形形同的物理损伤和解构学残留才会影响后续使用可靠性2)单颗芯片承受高倍的电流须要更为强的散热能力也，对整车厂及其供应商的所设计、芯片等能力也提出上新更为高要求。因此，该行普遍认为以外较差碳解构芯片所设计能力也的子公司，以及组件芯片能力也的子公司都未充分利用此趋向于。

可行性三：碳解构+IGBT混组件可行性，显现出上新来组件芯片能力也强的协力业

该可行性将原来的TPAK芯片中的均碳解构晶体管替换为IGBT，芯片形同混组件，于是又将若干个混组件并联。该行看到现有海外实验室已形同功研发出上新FREEDM-PAIR混组件，并证实该可行性的必要性。车协力若采行SiCMOSFET和IGBT的混组件可行性可以明显减小开销。但该上新技术的难点在于碳解构MOSFET和IGBT栅极传动装置电压和工作频率多种不同，合封的兼容性难度较大。现有罗姆另一款的第四代沟壑标准型碳解构MOSFET已解决问题与IGBT共用栅极传动装置电路，但仍未原标准型车。该行普遍认为碳解构与IGBT的合封组件可行性上新技术难度较高，在组件芯片应用有颇深依靠的子公司都未充分利用。

提议非议氮解构镓功率晶体管替换碳解构或作为降本正向

GaN元件兼顾耐高温、高频、高效率等优势，常见于高频率应用场面，GaN取代SiC或形同为一种降本正向，现有布局GaN的子公司包括Nitas、PI和英诺赛科、三星电子、世界精良、联电。其中的三星电子作为全都球为数不多GaN大厂工厂，第二代650V/100VE-HEMT耐用性较一代增加50%，进入全都需求量原标准型车阶段，现有早就开发第三代厂商，三星电子预估在2025年另一款。GaN现有主要应常用消费者电子应用，在电动车传动装置系统设计中的尚有大规模商用案例，提议非议后续令人满意。

不确定性提示：中下游上新能源汽车、光伏等须要不及考虑到，沟壑标准型SiCMOSFET上新技术令人满意不及考虑到，碳解构覆盖范围不及考虑到的不确定性。

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